𝗠𝗲𝗶𝗹𝗲𝗻𝘀𝘁𝗲𝗶𝗻 𝗶𝗻 𝗱𝗲𝗿 𝗦𝗶𝗹𝗶𝘇𝗶𝘂𝗺-𝗣𝗵𝗼𝘁𝗼𝗻𝗶𝗸: Mit den rasanten Fortschritten in der Künstlichen Intelligenz (KI) 🤖 und dem Internet der Dinge (IoT) 🌐, also der zunehmenden Vernetzung intelligenter Geräte, steigt der Bedarf an leistungsstarker und energieeffizienter Hardware.
Die 𝐨𝐩𝐭𝐢𝐬𝐜𝐡𝐞 𝐃𝐚𝐭𝐞𝐧ü𝐛𝐞𝐫𝐭𝐫𝐚𝐠𝐮𝐧𝐠 📡 bietet hier klare Vorteile: Sie ermöglicht den Transport großer Datenmengen bei minimalen Interferenzen und Energieverlusten. Während sie heute vor allem für Distanzen über einem Meter eingesetzt wird, erweist sich die optische Datenübertragung zunehmend auch über kürzere Reichweiten als vorteilhaft. Ein zentrales Ziel ist die Integration entsprechender optischer Komponenten direkt in 𝐌𝐢𝐤𝐫𝐨𝐩𝐫𝐨𝐳𝐞𝐬𝐬𝐨𝐫𝐞𝐧 💾 – diese würden dann vergleichbar mit Transistoren direkt bei der 𝐂𝐡𝐢𝐩-𝐅𝐞𝐫𝐭𝐢𝐠𝐮𝐧𝐠 ausgeformt. Im Fokus der Forschung 🔬 steht daher die Entwicklung kostengünstiger 𝐩𝐡𝐨𝐭𝐨𝐧𝐢𝐬𝐜𝐡𝐞𝐫 𝐢𝐧𝐭𝐞𝐠𝐫𝐢𝐞𝐫𝐭𝐞𝐫 𝐒𝐜𝐡𝐚𝐥𝐭𝐤𝐫𝐞𝐢𝐬𝐞 (𝐏𝐈𝐂𝐬), die sowohl die Leistung verbessern als auch die Herstellungskosten senken können.
In den letzten Jahren hat die 𝐒𝐢𝐥𝐢𝐳𝐢𝐮𝐦-𝐏𝐡𝐨𝐭𝐨𝐧𝐢𝐤 bereits große Fortschritte erzielt 🚀. Schlüsselkomponenten wie Hochleistungsmodulatoren, Fotodetektoren und Wellenleiter konnten bereits erfolgreich monolithisch auf 𝐒𝐢𝐥𝐢𝐳𝐢𝐮𝐦𝐜𝐡𝐢𝐩𝐬 integriert werden. Doch ein zentraler Baustein fehlte bislang: eine elektrisch gepumpte Lichtquelle 💡, die ausschließlich auf Materialien der vierten Hauptgruppe basiert. Üblicherweise verwendete III-V-Halbleiter, die aus anderen Hauptgruppen stammen, lassen sich nur schwer mit Silizium kombinieren – ein Material, auf dem die gesamte Chip-Fertigung beruht. Das macht die Herstellung aufwändig und teuer. Der neue 𝐋𝐚𝐬𝐞𝐫 ✨ schließt diese Lücke und gilt daher als das „letzte fehlende Puzzlestück 🧩“ der 𝐒𝐢𝐥𝐢𝐳𝐢𝐮𝐦-𝐏𝐡𝐨𝐭𝐨𝐧𝐢𝐤.
Publikation: Seidel, L., Liu, T., Concepción, O. et al.
Continuous-wave electrically pumped multi-quantum-well laser based on group-IV semiconductors
Nat Commun (2024), DOI: 10.1038/s41467-024-54873-z
Mehr Infos: https://lnkd.in/eUzx3Rhz
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