Post de 5N Plus inc.

C'est une tendance de longue date où l'on passe à l'état solide, comme lorsque nous sommes passés des tubes aux transistors. Il se pourrait bien que les prochains coupe-circuits que nous achèterons à la quincaillerie soient à l'état solide, utilisant des semi-conducteurs plutôt que des composants électromécaniques. Est-ce quelque chose que vous aviez anticipé ? #SOLMEG #Qorvo #transistor #JFET #carburedesilicium #SiC #disjoncteurs #semiconducteurs #innovation #technologie #électronique #circuits #performance #thermique #réductiondechaleur #innovationtechnologique

You wonder why Vertical GaN-on-Si Power Devices for 600V-1200V is so important, please find 3 examples below: - Electric Vehicle with GaN-on-Si power will have much more autonomy, i.e. 400km to 1000 km autonomy - 5G and 6G RF (radio frequency) with GaN-on-Si power everyone will be able to see in 3D from their mobile phones; Facetime, TEAM, Zoom, WebEx etc - Artificial Intelligence generates billion of information by the minute, you can imagine the necessary size/space of those data base. GaN-on-Si means more power and way more compact. GaN-on-Si power will enable smaller size data bases center and more powerful. Vertical GaN will revolutionize high- voltage semiconductor applications. Now you know !

Qorvo a lancé un nouveau transistor à effet de champ (JFET) en carbure de silicium (SiC) de 4 milliohms pour les disjoncteurs à semi-conducteurs. Ce JFET, dans un boîtier TOLL compact, offre une faible résistance, une excellente performance thermique et une taille réduite, le rendant idéal pour la protection des circuits. Il réduit considérablement la génération de chaleur et supporte des courants d'appel élevés et des températures élevées, facilitant la transition des disjoncteurs électromécaniques vers les disjoncteurs à semi-conducteurs. La production débutera au quatrième trimestre de 2024. #SOLMEG #Qorvo #transistor #JFET #carburedesilicium #SiC #disjoncteurs #semiconducteurs #innovation #technologie #électronique #circuits #performance #thermique #réductiondechaleur #innovationtechnologique https://lnkd.in/gtxxkbUS

🙌Exciting collaboration alert! #Ferrari and #NXP Semiconductors are teaming up to pioneer research in lithium battery technology. Learn more about this groundbreaking partnership!

Si vous avez manqué notre webinar et le sujet vous intéresse? Contactez moi je vous enverrez le lien pour le visualiser .

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🎙Qui a dit : Pourquoi s'embêter avec un #GATE #DRIVER ❓️ Quand on a une #application : 🚀 découpage rapide, ⚡️découpage fort courant, 🧐 Mieux vaut bien commander le MOSFET ❌️ un mosfet commandé en TTL derrière un #microcontroleur ne permet pas une bonne saturation du mosfet, ni même une rapide ouverture. Et la tension U(OL-max) ne desced pas assez pour bloquer le Mosfet. (Note: Pour des petites applications sans #puissance, il me semble qu'il existe néanmoins des mosfets spécifiques compatibles 0-5V.) ❌️ Une sortie en CMOS serait déjà mieux, mais seulement faut que le micro soit alimenté en gamme haute de #tension CMOS, comme 18V. Quiz du #courant de gate nécessaire. ⚠️ Enfin, le courant Igs de commande #gate du #mosfet doit être péchu, en (A). Les qques (mA) ne suffisent plus dans une telle application à fort courant Ids Drain - Source. 👀 Dans l'exemple donné dans le #guide, on indique une tension Vgs-ON recommandée de (18V). Et Vgs-OFF de (-3V): ❗️Oui, une tension négative ❗️ 🎯 Vous l'aurez compris, pour une telle application, on doit utiliser un #composant spécialisé appelé #driver #gate, pour s'interfacer entre le microcontroleur et le transistor de puissance MOSFET. 💡L'article va encore plus loin. Il recommande un courant différent pour saturer le #MOSFET et pour bloquer ce dernier. ex: 2A pour Vgs-ON et 4A pour Vgs-OFF. D'où un driver gate à 2 sorties de commande : on et off. Ainsi, on peut insérer deux #résistances de limitation de courant distinctes respectivement sur le chemin de commande ON et chemin OFF. 📥Guide à conserver. BONNE LECTURE 📖 Thanks Electronics and Electrical Design for your guide sharing.👍

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